미뉴타텍이 보유한 patterning 공정 기술을 통해 수십 나노 미터부터 수백 마이크로 미터까지 다양한 크기의 3차원 구조물을 복제해낼 수 있다. 이러한 결과물을 위해서는 하나의 기술이 사용되는 것이 아니라 목적에 맞는 다양한 patterning 기법들이 사용 될 수 있다. 특히 차세대 optical lithography와는 달리 미세 패턴 구현을 위해 고가의 DUV나 laser 등의 광학 source에 의존하지 않고 정확한 미세패턴을 복제해낼 수 있다. 또한 3차원 구조나 곡면 구조의 형성을 위해 복잡한 공정을 거쳐야 하는 기존 방법들과는 달리 복제된 몰드를 이용한 정확한 형상 재현이 가능하다는 것도 또 하나의 장점이다.

이러한 장점들로 인해 미뉴타 공정이 저렴한 비용으로 차세대 lithography 기술을 구현하는 유력한 대안으로 부상하고 있는 실정이다.

High Resolution

Flash replication 기술을 응용하여 수십 나노 미터 수준의 미세패턴을 손쉽게 구현할 수 있다. 다음 그림을 통해 미세패턴의 구현 능력을 확인해 볼 수 있다.

80 nm replicated dense line & space pattern

70 nm replicated dense line & space pattern

Optical Element

미뉴타텍은 광학부품으로 사용되는 다양한 물질에 대한 기술을 확보하고 있어서 다양한 제품의 응용에 사용 가능하다.

Diffraction optical lens replicated on fused silica substrate

Inorganic micro lens array replicated on fused silica substrate

Cross-sectional view of inorganic micro lens array

Pattern Density

미세 선폭의 patterning인 경우 pattern간 space와 pattern의 aspect ratio에 따라 patterning의 난이도가 결정된다. 다음 그림에서 Minuta process를 이용한 실제 예를 확인할 수 있다.

500nm height with Top CD 120nm/Btm CD 170 nm pillar replica ( aspect ratio » 3.4 )

Cross sectional view : 400nm height, 80nm dense line/space pattern ( aspect ratio » 5.0 )

3D Structure

일반적인 2차원 패턴뿐 아니라 다양한 높이를 가진 3차원의 패턴도 복제기술을 이용하여 용이하게 성형할 수 있다.

20um pyramid-like shape pattern replica on PMMA plate

30um reverse pyramid replica on PET film

2um micro prism replica

5 – level pattern replication AFM result

Residual Free

기존 photo lithography에서 사용되는 PR 패턴은 주로 이후 공정의 에칭 resist로 이용된다. 이러한 PR을 대신하여 Etch resist로 사용 할 수 있는 patterning의 구현이 가능하다.

After ER patterning ( before metal wet etching step )

After metal wet etching

80nm scale residual layer free line & space pattern