미뉴타텍이 주력으로 삼고 있는 기술은 비전통적인 방법에 의한 나노패터닝에 관한 것으로서 국제특허 5건, 국내특허 38여 건이 출원되어 있고 초기 출원 특허는 특허청의 심사가 완료되어 등록된 상태이다. 현재 반도체 배선 기술에서 한계로 여기고 있는 0.10µm의 절반 이하의 선폭을 갖는 패턴을 형성할 수 있으며 기존의 photo lithography 장치로 구현이 어려운 3차원 형상까지도 패턴 형성이 용이하여 전자회로 패턴, 전자부품 미세구조물 및 광학부품 등등 다양한 제품에 적용이 가능하다.

미뉴타텍이 보유한 기술을 큰 범위에서 나눠서 보면 다음과 같이 요약할 수 있다.

  • RTIL (Room Temperature Imprint Lithography)
  • CFL (Capillary Force Lithography)
  • Soft Molding
  • Flash Replication
  • Anisotropic Buckling
  • State of the art patterning technique
  • MOLD & Patterning Material

이러한 위의 기술을 이용하여 미뉴타텍은

  1. 원판 (Master)에 구현된 모양을 정확하게 복제 하는 것이 가능하여 기존의 고분자 사출 이나 압출 공정으로 어려운 수십 나노 미터에서 수십 마이크로 미터의 3차원 패턴을 정확하게 구현 할 수 있다.
  2. 기존의 photo공정으로 구현이 어려운 3차원 구조를 구현 할 수 있으므로 비구면 광학렌즈나 optical element 등과 같은 전자제품 내의 다양한 형태로 응용이 가능하다.
    예) 마이크로 볼록 또는 오목 렌즈, 프리즘 형태, 원뿔형태, 요철반사판 등등…
  3. 포토 레지스트 자체를 3차원 구조를 가지게 할 수 있으므로 기존의 photo공정과 병행하여 구조 형상의 범위를 넓힐 수 있다.
  4. 감광성을 가지지 않는 여러 가지 물성의 고분자를 가공하는 것이 가능하여 최종 목적에 적합한 다양한 물성을 만족시킬 수 있다.
  5. Etch resist용 고분자를 이용하지 않고 메탈이나 organic device유기 고분자의 직접 패터닝이 가능하여 공정비용 절감 혹은 에칭공정에서의 chemical 제약을 극복할 수 있다.

다양한 형태의 패턴을 residual layer 없이 성형 할 수 있으므로 직접적으로 photo lithography 공정을 대체하는 것이 가능하다

RTIL : Room Temperature IMPRINT Lithography

상온 각인 인쇄법 이라고 불리는 이 공정은 예전부터 있어 왔던 embossing 공정을 현대적인 반도체 및 전자회로 공정 수요에 맞게 개선한 공정이라고 볼 수 있다.
종래의 imprint 공정에서는 특정 기판상에 형성된 열가소성 고분자 필름을 경질의 주형을 이용하여 고온 고압으로 누름으로써 주형이 가진 패턴의 역상을 고분자 필름에 각인 시키는 방법을 이용하였다. 이러한 imprint 공정을 통해 기존 photolithography 공정에서 비용적인 문제로 인해 접근이 어려웠던 수십 nm 수준의 미세 패턴까지도 쉽게 구현할 수 있게 되었다 하지만 공정 중에 가해지는 고온 고압의 환경으로 인해 대면적의 기판 패턴을 균일하게 각인 시킨다는 것이 난점으로 부각되었고 현재 대면적 기판 형성을 위해 photo 공정에서 사용 중인 step & repeat 공법 또한 고온의 imprint 조건으로 인해 구현이 쉽지 않다.
하지만 RTIL 기술을 통해 기판상에 형성된 고분자 필름의 물성을 조정함으로써 상온, 상압에서 imprint 공정을 용이하게 수행할 수 있게 되었고 기존 imprint 공정에서의 문제점으로 여겨진 제약들을 극복할 수 있어 대면적 기판의 성형 및 step & repeat 공법의 응용도 가능하게 되었다. RTIL은 원하는 패턴의 역상이 형성되어 있는 Si,  SiO2 등의 wafer나 metal 재질과 같은 경질의 주형을 공정에 사용하게 된다. Imprint시의 패턴형성 대상인 고분자 층과 경질 주형과의 이형성을 확보하기 위해 주형 표면에 적절한 이형처리를 하거나 고분자 층 자체에 이형 성질을 부여하기도 한다. RTIL은 경질 주형의 제조한계에 의해 구현 해상도가 결정되는데 보통 경질 주형의 제작에는 e-beam lithography 기술이 사용되게 되고 그에 따른 구현 해상도 한계는 약 20nm 정도 수준이다.
다음은 RTIL공정을 단계별로 나타낸 그림이다.

Soft molding은 기존 PR과 같은 감광성 고분자 뿐만 아니라 비감광성 범용 고분자용액을 이용하여 수 마이크로에서 수십 마이크로 크기의   mesoscale  pattern을 구현하는 기술 이다. 이 기술의 핵심은 기판 상에 coating된 고분자 용액의 유동성을 최대한 활용하여 3차원 구조의 복잡한 패턴을 형성하는데 있다.
Soft molding 공정에서는 용매 흡수력이 뛰어난 고분자 주형을 mold로 사용하는데 고분자 주형의 용매 흡수성을 이용하여 유동화 상태에 있는 고분자 용액층의 고형화를 유도하게 된다. 패턴이 형성되는 고분자 층은 필요에 따라 유기물이 아닌 무기물 고분자로도 대체가 가능하며 적절한 재료와 몰드의 조합을 통해 잔막이(residual layer)가 없는 etch resist의 구현도 가능하다. 다만 이 공정을 양산공정으로 적용하기 위해서는 사용된 몰드의 용매 흡수상태에 따른 재사용 주기 등을 점검하여야 할 필요가 있다. Soft molding의 단계별 개념은 다음 그림으로 표현된다.