CFL은 모세관 힘을 이용하여 patterm을 형성하는 lithography 기술이다.

열가소성 고분자가 coating된 기판에 mold를 conformal contact을 시킨 후 고분자의 Tg 이상의 열을 가해 고분자 층의 유동성을 확보하여 모세관 힘을 유도한다.

이때 발생하는 모세관 힘에 의해 패턴이 형성된 후 냉각 및 demolding 공정을 통해 고형화된 미세패턴을 구현할 수 있다.

이 CFL 공정은 고분자 층의 패턴형성을 위해 잔류 용매를 의한 유동성을 이용하는 soft molding과는 달리 고형화 된 고분자 층을 가공함으로써 공정 가능 시간을 자유롭게 조절할 수 있고 몰드의 용매 흡수성에 구애 받지 않는다는 장점이 있다. 사용하는 몰드는 기판과의 conformal contact이 원활하게 이루어질 수 있도록 탄성체의 성질을 띠는 것이 사용하기에 바람직하다. 또한 대면적 기판의 patterning 시에도 균일 압력 분포를 확보하여야하는 imprint 공정이나 몰드와 기판 간의 접촉시간 조절이 필요한 soft molding에서처럼 제약을 받지 않고 균일한 온도 분위기만 확보하면 용이하게 패턴을 구현할 수 있다는 장점을 지니고 있다. CFL 공정에서는 고분자층의 두께를 적절히 조절함으로써 잔막의 상태를 제어할 수도 있다.

다음은 CFL 공정의 개념을 단계별로 그림으로 표현한 것이다.