상온 각인 인쇄법 이라고 불리는 이 공정은 예전부터 있어 왔던 embossing 공정을 현대적인 반도체 및 전자회로 공정 수요에 맞게 개선한 공정이라고 볼 수 있다.

종래의 imprint 공정에서는 특정 기판상에 형성된 열가소성 고분자 필름을 경질의 주형을 이용하여 고온 고압으로 누름으로써 주형이 가진 패턴의 역상을 고분자 필름에 각인 시키는 방법을 이용하였다. 이러한 imprint 공정을 통해 기존 photolithography 공정에서 비용적인 문제로 인해 접근이 어려웠던 수십 nm 수준의 미세 패턴까지도 쉽게 구현할 수 있게 되었다 하지만 공정 중에 가해지는 고온 고압의 환경으로 인해 대면적의 기판 패턴을 균일하게 각인 시킨다는 것이 난점으로 부각되었고 현재 대면적 기판 형성을 위해 photo 공정에서 사용 중인 step & repeat 공법 또한 고온의 imprint 조건으로 인해 구현이 쉽지 않다.

하지만 RTIL 기술을 통해 기판상에 형성된 고분자 필름의 물성을 조정함으로써 상온, 상압에서 imprint 공정을 용이하게 수행할 수 있게 되었고 기존 imprint 공정에서의 문제점으로 여겨진 제약들을 극복할 수 있어 대면적 기판의 성형 및 step & repeat 공법의 응용도 가능하게 되었다. RTIL은 원하는 패턴의 역상이 형성되어 있는 Si,  SiO2 등의 wafer나 metal 재질과 같은 경질의 주형을 공정에 사용하게 된다. Imprint시의 패턴형성 대상인 고분자 층과 경질 주형과의 이형성을 확보하기 위해 주형 표면에 적절한 이형처리를 하거나 고분자 층 자체에 이형 성질을 부여하기도 한다. RTIL은 경질 주형의 제조한계에 의해 구현 해상도가 결정되는데 보통 경질 주형의 제작에는 e-beam lithography 기술이 사용되게 되고 그에 따른 구현 해상도 한계는 약 20nm 정도 수준이다.

다음은 RTIL공정을 단계별로 나타낸 그림이다.